SK하이닉스, 8월 용인 클러스터 1기 팹 2단계 착공…증설 속도전
SK하이닉스가 8월 용인 1기 팹 2단계 착공. 415만㎡·600조 투자, 완공 2033년으로 12년 단축. HBM·AI 수요 대응 증설 가속.
SK하이닉스가 2026년 8월, 경기 용인 반도체 클러스터 내 1기 팹의 2단계 건물 공사에 착수 합니다. AI 반도체 수요 급증에 대응해 HBM 등 차세대 D램 생산 거점을 조기에 확보하기 위한 것으로, 증설 시계를 빠르게 앞당기고 있습니다. 용인 클러스터는 약 415만㎡ 규모 로 SK하이닉스 팹과 소재·부품·장비(소부장) 협력단지, 인프라 부지로 구성됩니다. 원삼면 현장은 이미 팹 골조가 올라가는 등 공사가 빠르게 진척되고 있습니다. 총 600조 원 이상 이 투입되는 이 클러스터는 완공 목표 시점도 당초 2045년에서 2033년으로 12년 단축 됐습니다. 그만큼 착공·증설이 압축적으로 진행된다는 뜻입니다. ■ 건설기계 시장 관점 — 대형 팹 공사가 1단계에서 2단계로 단계별로 이어지면서, 현장에 투입되는 크레인·중장비 수요도 장기간 지속될 전망입니다. 참고 기사 SK하이닉스, 8월 용인 1기 팹 2단계 착공 (뉴데일리, 2026-05-14) SK하이닉스, 용인 반도체 클러스터 1기 팹 본격 착공 (SK하이닉스 뉴스룸)
